欢迎来到全天候!
注册
全天候首页

深圳市创立翔科技有限公司

主营产品:集成电路(IC)

13380393806

公司名称:深圳市创立翔科技有限公司

联 系 人 :吴伟楠 联系电话:13380393806

联系我们

AOTF8N50 原装AOS 万代MOS管 N型 500V 8A TO220F

发布时间:2024-01-23 18:57:12

AOTF8N50型号AOTF8N50品牌 AOTF8N50封装 AOTF8N50备注 AOTF8N50 AOS美国万代TO-220F全新原装现货 AOTF8N50 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F


AOTF8N50产品详细说明:AOTF8N50一般信息数据列表AOT(F)8N50(L);TO220F Pkg Drawing;标准包装 1,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-

AOTF8N50规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8A(Tc)驱动电压(Zui大 Rds On,Zui小 Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)28nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)1042pF @ 25VVgs(Zui大值)±30VFET 功能-功率耗散(Zui大值)38.5W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)850 毫欧 @ 4A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220-3F封装/外壳TO-220-3 整包

AOTF8N50文档其它有关文件AOS Green Policy

AOTF8N50相关产品:

AOTF5N50AOTF5N100AOTF6N90AOTF7N60AOTF7N65AOTF7N70AOTF7S60AOTF7S65AOTF8N50AOTF8N60AOTF8N65AOTF8N80AOTF9N50AOTF9N70AOTF4S60AOTF4N90


AOTF8N50产品广泛应用于:


联系方式:公司:深圳市创立翔科技有限公司地址:广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇广场都会轩1913室联系人:吴生,伟楠手机:/传真:企业企业微信:

AOS万代原装 MOS管AOU4S60 N沟道 600V 4A TO-251
AOU4S60型号AOU4S60品牌AOU4S60封装AOU4S60备注AOU4S60AOS美国万代TO-251全新原装现货AOU4S60 MOSFET N-CH 600V 4A TO251AOU4S60产品详细描述:AOU4S60一般信息数据列表AOx4S60;TO251 Pkg Drawing;TO251A Pkg Drawing;标准包装 4,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列aMOS™AOU4S60规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4A(T}
2024-01-21 09:31:18
AOS万代原装 MOS管AOU4N60 N沟道 600V 4A TO-251
AOU4N60型号AOU4N60品牌AOU4N60封装AOU4N60备注AOU4N60AOS美国万代TO-251全新原装现货AOU4N60 MOSFET N-CH 600V 4A TO251AOU4N60产品详细描述:AOU4N60一般信息数据列表AOx4N60;TO251 Pkg Drawing;TO251A Pkg Drawing;标准包装 4,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-其它名称AOU4N60-ND AOU4N60规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(2}
2024-02-22 08:33:37
AOS万代原装 MOS管AOU3N60 N沟道 600V 2.5A
AOU3N60型号AOU3N60品牌AOU3N60封装AOU3N60备注AOU3N60AOS美国万代TO-251全新原装现货AOU3N60 MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252AOU3N60产品详细描述:AOU3N60一般信息数据列表AO(D,U)3N60;TO251 Pkg Drawing;标准包装 4,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-其它名称 AOU3N60规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.5A(Tc)驱动电压(Zui大}
2024-02-27 19:04:56
AOTF9N50 原装MOS管 N型 500V 9A TO220F欢迎咨询
AOTF9N50型号AOTF9N50品牌AOTF9N50封装AOTF9N50备注AOTF9N50AOS美国万代TO-220F 全新原装现货AOTF9N50 MOSFET N-CH 500V 9A TO220FAOTF9N50产品详细规格AOTF9N50一般信息数据列表AOT(F)9N50(L);TO220F Pkg Drawing;标准包装 1,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-AOTF9N50规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9A(Tc)驱动电压}
2024-03-05 08:40:45
原厂原装AOTF8N80 AOS万代MOS管 N型 800V 7.4A库存现货
AOTF8N80型号AOTF8N80品牌AOTF8N80封装AOTF8N80备注AOTF8N80AOS美国万代TO-220F 全新原装现货AOTF8N80 MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220FAOTF8N80产品详细规格AOTF8N80一般信息数据列表AOT(F)8N80;TO220F Pkg Drawing;标准包装 1,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-其它名称 AOTF8N80规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)800V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)7.4A(T}
2024-01-31 17:51:59
免责声明:
深圳市创立翔科技有限公司 所提供的公司介绍、产品信息等相关信息均有深圳市创立翔科技有限公司自行负责,商品内容真实性、准确性、合法性由深圳市创立翔科技有限公司完全承担,全天候商务网对此不承担任何保证责任。